特許
J-GLOBAL ID：200903026686131062
シリコン物品表面の清浄化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
塩澤 寿夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-057170
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260787
出願日： 1998年03月09日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】半導体デバイスの物性に対する影響が懸念されている幾つかの金属イオンについて、シリコンウエハ等のシリコン物品上に残存する量を低減できる、超純水を使用するシリコン物品の洗浄方法を提供すること。【解決手段】シリコン物品の表面を洗浄液及びリンス液で順次処理することを含むシリコン物品表面の清浄化方法であって、超純水をユースポイント直前で、膜内部にイオン交換機能を有する高分子鎖が保持されている多孔膜であって、膜1g当たり0.2〜10ミリ当量のイオン交換基を有し、平均孔径0.01〜1μmの多孔膜を充填したモジュールでさらに処理した水を、前記洗浄液の調製液及び/又は前記リンス液として用いる方法。
請求項（抜粋）：
シリコン物品の表面を洗浄液及びリンス液で順次処理することを含むシリコン物品表面の清浄化方法であって、超純水をユースポイント直前で、膜内部にイオン交換機能を有する高分子鎖が保持されている多孔膜であって、膜1g当たり0.2〜10ミリ当量のイオン交換基を有し、平均孔径0.01〜1μmの多孔膜を充填したモジュールでさらに処理した水(以下、再処理超純水という)を、前記洗浄液の調製液及び/又は前記リンス液として用いることを特徴とする方法。
IPC (4件)：
H01L 21/304 648
, B08B 3/08
, C02F 1/42
, C11D 17/08
H01L 21/304 648 F
, B08B 3/08 Z
, C02F 1/42 Z
, C11D 17/08
