半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-130006
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330417
出願日： 1995年05月29日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【目的】オーバーラップレスコンタクトを実現し集積度を向上できる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】基板11上に配線12を形成し、配線12の側壁に絶縁性材料からなるサイドウォール13を形成する。配線12を覆う状態で基板11上に層間絶縁膜14を成膜し、次いで配線12とサイドウォール13とをストッパにした層間絶縁膜14のエッチングによって配線12に達するコンタクトホール15を形成する。これによって、隣接する配線間の絶縁性を阻害することなくサイドウォール13の幅に対応してコンタクトホール15の合わせ余裕を大きくする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された配線の側壁に絶縁性材料からなるサイドウォールを形成する工程と、前記配線とサイドウォールとを覆う状態で、当該基板上に層間絶縁膜を成膜する工程と、前記配線と前記サイドウォールとをストッパにした層間絶縁膜のエッチングによって、当該配線に達するコンタクトホールを形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , C23F 4/00 , H01L 21/3065 , H01L 21/318

FI (4件)：

H01L 21/90 D , C23F 4/00 C , H01L 21/318 B , H01L 21/302 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

集積回路においてコンタクトビアを製造する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-104413 出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクス,インコーポレイテッド
特開昭63-073537
特開昭63-224240

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