特許

J-GLOBAL ID：200903048214796048

磁気素子およびその製造方法

発明者： 中島 健太郎 ,  猪俣 浩一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-089616
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284679
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：

【要約】【課題】 イオンミリング法等の物理的スパッタリングによるエッチング法の使用を極力抑えることにより製造する磁気素子と、その製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板1上に設けられた絶縁層12、17の接続孔12a、17a内に形成された強磁性トンネル接合されたTMR素子14の形状を、接続孔12a、17aの形状によって規定する。

請求項（抜粋）：

配線パターン上に形成された絶縁層と、この絶縁層の前記配線パターン上の所定個所に形成され前記配線パターンの表面に至る接続孔内に形成され前記配線パターンに接続されて第1強磁性層と第2強磁性層がトンネルバリアを介して積層された強磁性トンネル接合と、この強磁性トンネル接合に接続された接続プラグと、この接続プラグに接続された第2配線パターンを具備した磁気素子において、前記強磁性トンネル接合の形状は、前記接続孔の形状によって規定されていることを特徴とする磁気素子。

IPC (5件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/14 ,  H01F 41/32 ,  H01L 43/12

FI (5件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/14 ,  H01F 41/32 ,  H01L 43/12

Fターム (13件)：

5D034BA03 ,  5D034BA08 ,  5D034BA15 ,  5D034BA30 ,  5D034DA07 ,  5E049AA01 ,  5E049AA10 ,  5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049BA12 ,  5E049CB01 ,  5E049CC01 ,  5E049GC01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気抵抗効果型ヘッドおよび磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-335898   出願人：株式会社日立製作所
• 強磁性トンネル接合素子を用いた装置、およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-353295   出願人：ローム株式会社
• 強磁性トンネル接合ランダムアクセスメモリ、スピンバルブランダムアクセスメモリ、単一強磁性膜ランダムアクセスメモリ、およびこれらをつかったメモリセルアレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-264430   出願人：富士通株式会社
• 強磁性トンネル効果膜を用いた磁気抵抗効果素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-246133   出願人：日本電気株式会社