特許
J-GLOBAL ID：200903026743914931

CVD装置の成膜状態を検出する方法及びプロセス制御方法

発明者：
依田 哲也

依田 哲也 について

, 
清水 正男

清水 正男 について


出願人/特許権者：
インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション

インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション について


代理人 (1件)： 楠本 高義 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-273329
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229423
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：
【要約】【課題】本発明は、本発明は安価で容易な手段により、CVD装置により成膜された膜の状態を測定する方法、また、その測定された数値を利用して、プロセスの制御を行う方法を得ることを課題とする。【解決手段】反応槽であるチャンバ10と、チャンバ内雰囲気の圧力を調節する圧力調節バルブ12と、チャンバ内の圧力を減圧する圧力ポンプ14と、反応ガスを排出するための反応ガス流路16と、反応ガス中の反応生成物を検出する装置18と、反応ガスから有害物質を除去する除害装置20と、検出された反応生成物の量を一定時間積算する装置と、積算した反応生成物の積算値より成膜した膜の状態を算出する装置から構成される。
請求項（抜粋）：
成膜用ガスを反応槽内に注入し、ウェーハ上に膜を成長させるCVD反応ステップと、反応槽内を反応ガスによってクリーニングするステップと、前記クリーニングによって発生した反応生成物の量を検出するステップと、前記検出された反応生成物の量を一定時間積算するステップと、前記積算した反応生成物の積算値より、成膜した膜の状態を算出するステップと、を含むCVD装置の成膜状態を検出する方法。
IPC (2件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/66
FI (3件)：
H01L 21/31 B ,  H01L 21/66 P ,  H01L 21/66 Q
Fターム (27件)：
4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106AA13 ,  4M106CA48 ,  4M106CB21 ,  4M106DH11 ,  4M106DH25 ,  5F045AA06 ,  5F045AA09 ,  5F045AB31 ,  5F045AC09 ,  5F045AC17 ,  5F045AD08 ,  5F045AE25 ,  5F045AF19 ,  5F045BB03 ,  5F045BB10 ,  5F045DP03 ,  5F045EB06 ,  5F045EF05 ,  5F045GB04 ,  5F045GB09 ,  5F045GB10 ,  5F045GB11 ,  5F045GB13 ,  5F045GB16 ,  5F045GH10
引用特許：
審査官引用 (4件)
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