強誘電体膜、強誘電体メモリ、及び圧電素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：井上一 , 布施行夫 , 大渕美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-012160
公開番号（公開出願番号）：特開2005-209722
出願日： 2004年01月20日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：

【課題】信頼性の高い強誘電体デバイスを得ることができる強誘電体膜を提供する。【解決手段】 ABO3で表されるペロブスカイト構造強誘電体からなる強誘電体膜であって、Aサイト添加イオンとしてSi2+、Ge2+、およびSn2+のうち少なくとも1種以上を含み、Bサイト添加イオンとして少なくともNb5+を含む。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ABO3で表されるペロブスカイト構造強誘電体からなる強誘電体膜であって、 AサイトにAサイト補償イオンとしてSi2+、Ge2+、およびSn2+のうち少なくとも1種以上を含み、 BサイトにBサイト補償イオンとしてNb5+を含むことを特徴とする強誘電体膜。

IPC (7件)：

H01L41/09 , B41J2/045 , B41J2/055 , C04B35/49 , H01B3/12 , H01L27/105 , H01L41/187

FI (8件)：

H01L41/08 C , C04B35/49 Z , H01B3/12 301 , H01L27/10 444B , H01L27/10 444C , H01L27/10 444Z , H01L41/18 101D , B41J3/04 103A

Fターム (45件)：

2C057AF93 , 2C057AP14 , 2C057AQ02 , 2C057BA03 , 2C057BA14 , 4G031AA11 , 4G031AA12 , 4G031AA14 , 4G031AA27 , 4G031AA30 , 4G031AA31 , 4G031AA32 , 4G031BA09 , 4G031BA10 , 4G031CA01 , 4G031CA02 , 4G031CA08 , 4G031GA02 , 4G031GA09 , 4G031GA11 , 4G031GA16 , 4G031GA17 , 5F083FR01 , 5F083FR02 , 5F083GA06 , 5F083GA21 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083NA08 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5G303AA10 , 5G303AB20 , 5G303BA03 , 5G303CA01 , 5G303CB21 , 5G303CB25 , 5G303CB30 , 5G303CB31 , 5G303CB35 , 5G303CB39 , 5G303CB42

引用特許：

審査官引用 (6件)

ペロフスカイト結晶構造を有するジルコンチタン酸鉛(PZT)を基礎とする圧電セラミック材料
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-532419 出願人：セラムテックアクチエンゲゼルシャフトイノヴェイティヴセラミックエンジニアリング
圧電アクチュエータ及びインクジェット式記録ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-375686 出願人：セイコーエプソン株式会社
圧電体素子及びこれを用いた電気機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-101286 出願人：セイコーエプソン株式会社

全件表示

前のページに戻る