特許
J-GLOBAL ID：200903026772681431
バイポーラトランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川口 義雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-176752
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036132
出願日： 1996年07月05日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【課題】 電流ゲインを低下させる電子/ホール再結合を効果的に抑える二重メサ構造を有するバイポーラトランジスタを提供する。【解決手段】 コレクタ、ベースおよびエミッタが積層された基板を含むIII-V属半導体材料に基づくヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、エミッタは、ベースに積層された半導体材料MI,MII,MIIIの少なくとも3つの層(1),(2)および(3)から成るいわゆる「二重メサ」構造を備え、層(1)と(2)の断面は層(3)の断面より大きく、各層は基板に平行に形成されている。
請求項（抜粋）：
コレクタ、ベースおよびエミッタがそれぞれ積層された基板を含むIII-V属半導体材料に基づくヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、エミッタはベースに積層された半導体材料MI,MII,MIIIの少なくとも3つの層(1),(2)および(3)からなるいわゆる「二重メサ」構造を備え、層(1)と(2)の断面は層(3)の断面より大きく、各層は基板に平行に形成されていることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
