特許
J-GLOBAL ID:200903026809854439
メッシュ電極並びに該メッシュ電極を用いたメッキ処理装置およびメッキ処理方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
青山 葆 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-110950
公開番号(公開出願番号):特開平10-298795
出願日: 1997年04月28日
公開日(公表日): 1998年11月10日
要約:
【要約】【課題】 メッキ液7の供給流速を変化させずにメッキ膜厚の均一性を向上させるメッキ処理装置およびメッキ処理方法を提供する。【解決手段】 メッキ処理装置のアノードメッシュ電極14の中央部分に開孔部14aを設け、アノードメッシュ電極14とウエハ101との間の電界密度分布を、ウエハ中央部分においてウエハ周辺部分より疎となるようにする。
請求項(抜粋):
メッキ層を形成すべきウエハに対面して設けられ、該ウエハ表面に所定の電界分布を形成するためのアノード電極であって、メッキ液が供給可能なメッシュ電極から構成され、該メッシュ電極の中央部分に開口部を有することを特徴とするメッシュ電極。
IPC (3件):
C25D 5/08
, C25D 17/00
, C25D 17/12
FI (3件):
C25D 5/08
, C25D 17/00 J
, C25D 17/12 K
引用特許: