特許
J-GLOBAL ID：200903026817920246

集積回路用キャパシタの製造方法

発明者：
廣瀬 達哉

廣瀬 達哉 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-016029
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226485
出願日： 1994年02月10日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 集積回路用キャパシタの製造方法に関し、薄膜化された大容量キャパシタを低温の下で製造可能であるようにし、キャパシタのオン・チップ化を実現しようとする。【構成】 基板を覆ったSiONからなる保護膜12上にTiからなる下部電極13を形成してから高温焼成を必要とするTiO2 からなる高誘電体膜14を導電性をもつ程度の低温で形成し、高誘電体膜14の膜厚に比較し侵入長が短く且つ高誘電体膜14に対する透過率が小さい領域の波長、即ち、125〔nm〕及び160〔nm〕のピーク波長をもつ重水素ランプからの光を照射し高誘電体膜14の表面を焼成温度に加熱して極薄い高抵抗化膜14Aを生成させ、その高抵抗化膜14Aをキャパシタの実質的な誘電体膜として利用することで、小型且つ大容量のキャパシタを低温で製造する。
請求項（抜粋）：
基板上に下部電極を形成してから高温焼成を必要とする高(強)誘電体膜を導電性をもつ程度の低温で形成する工程と、次いで、前記高(強)誘電体膜の膜厚に比較し侵入長が短く且つ前記高(強)誘電体膜に対する透過率が小さい領域の波長をもつ光源からの光を照射し前記高(強)誘電体膜の表面を焼成温度に加熱して高抵抗化された薄膜を生成させる工程とが含まれてなることを特徴とする集積回路用キャパシタの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 27/04 ,  H01L 21/822
引用特許：
審査官引用 (2件)

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