特許
J-GLOBAL ID：200903026823263338

磁気メモリ

発明者：
及川 亨

及川 亨 について

, 
細渕 利一

細渕 利一 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (3件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  青木 博昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-144513
公開番号（公開出願番号）：特開2007-317797
出願日： 2006年05月24日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：
【課題】 書き込み電流の大きさを低減可能な磁気メモリを提供する。【解決手段】 一対の制御用端子TC1,TC2に制御電流を供給すると、第1非磁性層6に隣接する薄膜強磁性体5には、制御電流ICの向きに応じて特定の極性のスピンSが染み出していく。第1強磁性体7の磁化の向きと同じスピンが第1非磁性層6に流れ、その一部のスピンSが薄膜強磁性体5内にも染み出していく。薄膜強磁性体5の磁化の向きは、固定層1の磁化の向きと同一である。この場合、対称性に起因して、スピン分極電流によってフリー層3のスピンに働かなくなり、書き込み電流を小さくしても、読み出し電流を増加させることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
磁気抵抗効果素子を有する記憶領域を1又は複数配置してなる磁気メモリにおいて、 個々の前記磁気抵抗効果素子は、 フリー層と、 強磁性体からなる固定層と、 前記フリー層と前記固定層との間に介在する中間非磁性層と、 前記固定層との間の電流経路内に前記フリー層が位置し、且つ、前記フリー層との間の電流経路内に所定の非磁性層が位置するように設けられ、スピン拡散長以下の厚みの薄膜強磁性体と、 磁化の向きが固定された第1強磁性体と、 前記薄膜強磁性体と前記第1強磁性体との間に介在する第1非磁性層と、 前記固定層及び前記薄膜強磁性体にそれぞれ電気的に接続され、前記固定層、前記フリー層、及び前記薄膜強磁性体を流れる電流を供給する一対の読み出し電流/書き込み電流供給用端子と、 前記第1非磁性層及び前記第1強磁性体にそれぞれ電気的に接続され、前記第1非磁性層と前記第1強磁性体との間に制御電流を供給し、前記薄膜強磁性体の磁化の向きを制御する一対の制御用端子と、 を備えることを特徴とする磁気メモリ。
IPC (4件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  G11C 11/15
FI (3件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  G11C11/15 110
Fターム (28件)：
4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD09 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD47 ,  4M119EE24 ,  4M119EE27 ,  4M119EE29 ,  5F092AA04 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB51 ,  5F092BC07 ,  5F092BC20 ,  5F092BC43
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM