特許
J-GLOBAL ID：200903052869724667

磁気メモリ

発明者：
斉 藤 好 昭

斉 藤 好 昭 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-350988
公開番号（公開出願番号）：特開2005-116888
出願日： 2003年10月09日
公開日（公表日）： 2005年04月28日
要約：
【課題】 消費電力が少なく素子破壊が無い信頼性の高い磁気メモリを得ること可能にする。【解決手段】 スピンの向きが固着された第1磁化固着層10cと、書き込み電流によりスピンの向きが可変の磁気記録層10aと、第1磁化固着層と磁気記録層との間に設けられた第1非磁性層10bと、読み出し電流用の第1配線20に電気的に接続され、スピンの向きが固着された第2磁化固着層6と、磁気記録層の第1非磁性層と反対側の面の第1領域と、第2磁化固着層の第1配線に電気的に接続された面と反対側の面との間に設けられた第2非磁性層8と、を備えたメモリセルを含み、磁気記録層の第1非磁性層とは反対側の面の第2領域に、書き込み電流用の第2配線30が電気的に接続され、第1磁化固着層の第1非磁性層と反対側の面が書き込み電流および読み出し電流用の第3配線18に電気的に接続されたことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
スピンの向きが固着された第1磁化固着層と、 書き込み電流によりスピンの向きが可変の磁気記録層と、 前記第1磁化固着層と前記磁気記録層との間に設けられた第1非磁性層と、 読み出し電流用の第1配線に電気的に接続され、スピンの向きが固着された第2磁化固着層と、 前記磁気記録層の前記第1非磁性層と反対側の面の第1領域と、前記第2磁化固着層の前記第1配線に電気的に接続された面と反対側の面との間に設けられた第2非磁性層と、 を備えたメモリセルを含み、前記磁気記録層の前記第1非磁性層とは反対側の面の第2領域に、前記書き込み電流用の第2配線が電気的に接続され、前記第1磁化固着層の前記第1非磁性層と反対側の面が前記書き込み電流および前記読み出し電流用の第3配線に電気的に接続されたことを特徴とする磁気メモリ。
IPC (2件)：
H01L27/105 ,  H01L43/08
FI (2件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z
Fターム (16件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR04 ,  5F083PR06 ,  5F083PR40
引用特許：
審査官引用 (4件)
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