特許

J-GLOBAL ID：200903026906505325

金属シリサイドの相転移温度を低下させる方法

発明者： シレル・キャブラル・ジュニア ,  ローレンス・アルフレッド・クレヴェンジャー ,  フランソワ・マックス・デュルル ,  ジェームズ・マッケル・エドウィン・ハーパー ,  ランディー・ウィリアム・マン ,  グレン・レスター・マイルズ ,  ドナルド・ウォルター・ダグラス・ラコフスキ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 合田 潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-256787
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169711
出願日： 1994年10月21日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェーハ上のシリコン層を覆うように形成された金属シリサイド層の相転移温度を低下させる。【構成】 まず耐火性金属をシリコン層の表面に隣接して配置し、その耐火性金属を被覆する層として先駆金属を付着し、その先駆金属から金属シリサイドを形成するに充分な温度にウェーハを加熱する。先駆金属は耐火性金属でよく、チタン、タングステン、またはコバルトとすることが好ましい。シリコン層の表面における耐火性金属の濃度は、約1017原子/cm3未満とすることが好ましい。耐火性金属はMo、Co、W、Ta、Nb、Ru、またはCrでよく、MoまたはCoがより好ましい。シリサイド形成に用いられる加熱工程は約700°Cより低い温度で行うが、約600〜700°Cの間がより好ましい。耐火性金属を配置する工程の後、耐火性金属を付着する前に、必要に応じて、ウェーハをアニールする。このアニール工程は少なくとも約900°Cのウェーハ温度で行うことが好ましい。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハのシリコン層を覆う金属シリサイドを形成する方法において、耐火性金属を上記のシリコン層に隣接して配置する工程と、上記耐火性金属を覆う層として先駆金属を付着する工程と、上記先駆金属から上記金属シリサイドを形成するに充分な温度に上記ウェーハを加熱する工程とを含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  C23C 20/02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• シリコン基板上に2つの層を形成させる方法及びシリコン基板上の接点領域の充填物を形成する方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-163370   出願人：インテル・コーポレーシヨン
• 特開昭61-097825
  
• シリサイド膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-017747   出願人：ゴールドスターエレグトロンカンパニーリミテッド