特許

J-GLOBAL ID：200903026920264543

化合物半導体膜の製造方法および太陽電池

発明者： 尾村 邦嘉 ,  日比野 武司 ,  西尾 剛 ,  澁谷 聡 ,  室園 幹夫
出願人/特許権者： 松下電池工業株式会社
代理人 (1件)： 東島 隆治 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-241549
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087747
出願日： 1997年09月05日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 大面積の化合物半導体薄膜を、安価で再現性良く工業的に製膜する方法を提供する。【解決手段】 少なくとも一つの金属-硫黄結合を有する有機金属化合物の有機溶媒溶液を超音波振動またはスプレー噴射により微粒子化し、加熱された基板上に接触させることによって金属硫化物からなる化合物半導体膜を形成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも一つの金属-硫黄結合を有する有機金属化合物の有機溶媒溶液を微粒子化する工程、および得られた微粒子を加熱された耐熱性基板に接触させ、前記基板に金属硫化物からなる化合物半導体膜を形成する工程を有することを特徴とする化合物半導体膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/365

FI (2件)：

H01L 31/04 E ,  H01L 21/365

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 化合物半導体薄膜の形成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-228774   出願人：松下電器産業株式会社
• 化合物半導体薄膜の形成法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-228775   出願人：松下電器産業株式会社
• 太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-336494   出願人：松下電池工業株式会社
• 特開昭61-244025