特許
J-GLOBAL ID：200903026921135143

磁気メモリ用途のための応力支援による電流駆動式スイッチング

発明者：
パカラ、マヘンドラ

パカラ、マヘンドラ について

, 
フェイ、イーミン

フェイ、イーミン について


出願人/特許権者：
グランディス インコーポレイテッド

グランディス インコーポレイテッド について


代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-539853
公開番号（公開出願番号）：特表2007-513501
出願日： 2004年11月12日
公開日（公表日）： 2007年05月24日
要約：
磁気メモリを提供するための方法及びシステム。本方法及びシステムは、複数の磁気素子を設けること、少なくとも1つの応力支援層を設けること、を含む。複数の磁気素子の各々は、スピン転移を用いて書き込まれるように構成されている。少なくとも1つの応力支援層は、書き込み時、複数の磁気素子の少なくとも1つの磁気素子に少なくとも1つの応力を及ぼすように構成されている。書き込み時、応力支援層によって磁気素子に及ぼされる応力により、スピン転移スイッチング電流が低減される。スイッチング電流が一旦オフになると、2つの磁化状態間のエネルギ障壁が変化しないことから、熱変動に対する磁気メモリの安定性が損なわれることはない。
請求項（抜粋）：
磁気メモリであって、 複数の磁気素子であって、前記複数の磁気素子の各々がスピン転移を用いて書き込まれるように構成された、前記複数の磁気素子と、 書き込み時、前記複数の磁気素子の少なくとも1つの磁気素子に少なくとも1つの応力を及ぼすように構成された少なくとも1つの応力支援層と、 を備える磁気メモリ。
IPC (3件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08
FI (2件)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z
Fターム (30件)：
4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD02 ,  4M119DD05 ,  4M119DD08 ,  4M119DD55 ,  4M119EE03 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  5F092AA01 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB42 ,  5F092BB53 ,  5F092BB81 ,  5F092BB82 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC13 ,  5F092EA06
引用特許：
審査官引用 (4件)
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