不揮発性メモリの振舞いに基づくプログラミング

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：井ノ口壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-076471
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129194
出願日： 2004年03月17日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

【課題】1組のメモリセルのプログラミングを行うプロセスが、メモリセルの振舞いに基づくプログラミング処理の適合化により改善される。【解決手段】例えば、1組のプログラムパルスが1組のフラッシュメモリセル用のワード線に印加される。どのメモリセルの方がプログラムし易いか、そして、どのメモリセルの方がプログラムし難いかに関する決定が行われる。どのメモリセルの方がプログラムし易いか、そして、どのメモリセルの方がプログラムし難いかに関する上記決定に基づいてビットライン電圧(または、他のパラメータ)の調整を行うことが可能となる。次いで、この調整されたビットライン電圧(または、他のパラメータ)でプログラミング処理が継続される。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリをプログラムする方法において、 1組の不揮発性記憶素子の振舞いに基づいて、前記不揮発性記憶素子を3またはそれ以上のグループに類別するステップと、個々のグループについて異なるプログラミング条件を用いて前記不揮発性記憶素子をプログラミングするステップと、を有することを特徴とする方法。

IPC (7件)：

G11C16/02 , G11C16/04 , H01L21/8247 , H01L27/10 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792

FI (6件)：

G11C17/00 611E , H01L27/10 481 , H01L27/10 434 , H01L29/78 371 , G11C17/00 622E , G11C17/00 641

Fターム (32件)：

5B125BA02 , 5B125BA19 , 5B125CA05 , 5B125DB09 , 5B125DB18 , 5B125DB19 , 5B125EA05 , 5B125EB01 , 5B125FA01 , 5B125FA02 , 5B125FA05 , 5B125FA06 , 5F083EP02 , 5F083EP23 , 5F083EP33 , 5F083EP34 , 5F083EP76 , 5F083ER22 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083LA08 , 5F083LA10 , 5F083ZA21 , 5F101BA01 , 5F101BB05 , 5F101BD22 , 5F101BD34 , 5F101BE01 , 5F101BE02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BF05

引用特許：

出願人引用 (15件)

米国特許出願第10/379,608号
米国特許公開第2003/0002348号
米国特許第5,095,344号

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審査官引用 (4件)

不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-397446 出願人：株式会社東芝, サンディスクコーポレイション
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-143799 出願人：株式会社東芝
不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法および記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-291324 出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社

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