特許

J-GLOBAL ID：200903026961496009

圧電体薄膜およびその製造法ならびにそれを用いたインクジェット記録ヘッド

発明者： 宮 下 悟 ,  篠 塚 正 一 ,  高 橋 哲 司
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-032346
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223830
出願日： 1996年02月20日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 良好な特性、例えば高い誘電率と高い圧電ひずみ定数、を有する圧電体薄膜、およびアニール時にクラックの発生のないその製造法を提供する。【解決手段】 本発明による圧電体薄膜は、膜表面で観察される結晶粒の面積平均が0.1μm2 以上であり、かつ薄膜断面に層状の不連続面を有さないものである。また、このような圧電体薄膜は、ゾルゲル法であって、圧電体膜を構成する金属成分のゾルと、高分子化合物とを含んでなるゾル組成物を、基板上に塗布し、乾燥させて膜を形成し、得られた膜を焼成して、非晶質の金属酸化物からなる多孔質ゲル薄膜を形成する仮焼成工程と、この多孔質ゲル薄膜をアニールして、該膜を結晶質の複合金属酸化物からなる膜とするプレアニール工程と、上記工程を少なくとも一回以上繰り返し、結晶質の金属酸化物の積層膜を形成する工程と、得られた積層膜をアニールして、該膜中のペロブスカイト型の結晶粒を大きく成長させる工程とを含んでなる。

請求項（抜粋）：

膜表面で観察される結晶粒の面積平均が0.1μm2 以上であり、かつ薄膜断面に層状の不連続面を有さない、圧電体薄膜。

IPC (6件)：

H01L 41/187 ,  B41J 2/045 ,  B41J 2/055 ,  H01L 21/324 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/24

FI (5件)：

H01L 41/18 101 D ,  H01L 21/324 Z ,  B41J 3/04 103 A ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/22 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 圧電体、強誘電体薄膜素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-258399   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 圧電体、強誘電体薄膜素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-258400   出願人：セイコーエプソン株式会社