特許
J-GLOBAL ID:200903026985463128
プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
福森 久夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-074936
公開番号(公開出願番号):特開2000-100798
出願日: 1999年03月19日
公開日(公表日): 2000年04月07日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、負イオンを高密度に生成し、これを被処理体に入射させて、被処理体に対してエッチングやクリーニング等を行い、高いエッチング速度や少ないチャージアップダメージを実現できる、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 本発明のプラズマ処理装置は、真空容器と該真空容器内に被処理体を支持する為の支持手段、とを有するプラズマ処理装置において、前記真空容器内のプラズマ発生空間にガスを導入する手段と、前記プラズマ発生空間内に前記ガスのプラズマを発生させる手段と、前記プラズマから負イオンを引き出して被処理体に供給する手段と、を具備したことを特徴とする。
請求項(抜粋):
真空容器と該真空容器内に被処理体を支持する為の支持手段、とを有するプラズマ処理装置において、前記真空容器内のプラズマ発生空間にガスを導入する手段と、前記プラズマ発生空間内に前記ガスのプラズマを発生させる手段と、前記プラズマから負イオンを引き出して被処理体に供給する手段と、を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件):
FI (3件):
H01L 21/302 B
, H05H 1/46 A
, H05H 1/46 L
引用特許:
審査官引用 (4件)
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プラズマ発生装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-209991
出願人:川崎製鉄株式会社
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集束イオンビーム装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-324990
出願人:株式会社島津製作所
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特開昭60-020437
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半導体装置の製造法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-105202
出願人:株式会社高純度化学研究所
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