ダイヤモンド紫外光発光素子

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-368095
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231996
出願日： 2001年12月03日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】紫外光発光が可能なダイヤモンドpn接合およびpin接合ダイオードを提供する。【解決手段】ホウ素ドープp型半導体ダイヤモンド薄膜(p型層)あるいはそれに接する電気伝導性基板にオーム性電極が形成され、そのオーム性電極に接することなく、p型層表面に直接あるいはアンドープダイヤモンド薄膜をはさんでリンドープn型半導体ダイヤモンド薄膜(n型層)が形成され、その表面にp型層及びp型層に形成されたオーム性電極に接することなくオーム性電極が形成されるものとする。

請求項（抜粋）：

ホウ素ドープp型半導体ダイヤモンド薄膜(p型層)表面に直接あるいはアンドープダイヤモンド薄膜(i層)をはさんでn型層としてリンドープn型半導体ダイヤモンド薄膜が積層されたpnあるいはpin接合構造を有し、p型層およびn型層の表面に形成されたオーム性電極を通して通電することで紫外光の発光が得られることを特徴とするダイヤモンド紫外光発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 33/00 A , H01L 21/205

Fターム (18件)：

5F041AA04 , 5F041AA11 , 5F041CA02 , 5F041CA33 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA64 , 5F041CA71 , 5F041CA82 , 5F045AA09 , 5F045AB07 , 5F045AC07 , 5F045AD13 , 5F045AE25 , 5F045AF02 , 5F045AF10 , 5F045CA10 , 5F045DA60

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-240784
特開昭63-302516
単結晶ダイヤモンド膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-107968 出願人：株式会社神戸製鋼所

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