紫外線発光デバイス及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：平山一幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-174723
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007385
出願日： 1999年06月21日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】半導体pn接合から紫外線が発光可能な紫外線発光デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】ホウ素ドープした高圧合成ダイヤモンド又は天然のIIb型ダイヤモンドから形成されたp型ダイヤモンド半導体結晶2上に、例えばプラズマCVD法によってドナー原子となるイオウをドープしたn型ダイヤモンド半導体結晶層4を成長させてpn接合6を形成し、このpn接合から順方向電圧を印加することにより紫外線が発光する。

請求項（抜粋）：

紫外線領域に対応するバンドギャップエネルギーを有する半導体結晶であって、アクセプター原子を有するp型半導体結晶とドナー原子を有するn型半導体結晶とで形成したpn接合を備え、上記pn接合に順方向電圧を印加することにより紫外線を発光する、紫外線発光デバイス。

IPC (4件)：

H01L 33/00 , H01L 21/205 , H01S 5/32 , C30B 29/04

FI (4件)：

H01L 33/00 A , H01L 21/205 , C30B 29/04 R , H01S 3/18 672

Fターム (42件)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BA03 , 4G077DB16 , 4G077EB01 , 4G077EB04 , 4G077ED06 , 4G077EF04 , 4G077EH05 , 4G077HA01 , 4G077HA06 , 5F041AA11 , 5F041CA02 , 5F041CA14 , 5F041CA33 , 5F041CA49 , 5F041CA57 , 5F041CA64 , 5F041CA82 , 5F041CA92 , 5F045AA09 , 5F045AB07 , 5F045AC19 , 5F045AD12 , 5F045AE23 , 5F045BB05 , 5F045BB16 , 5F045CA09 , 5F045DA60 , 5F045DA63 , 5F045DP04 , 5F045EB02 , 5F045EB09 , 5F045EC03 , 5F045EH03 , 5F045EH18 , 5F073CA24 , 5F073CB04 , 5F073CB17 , 5F073CB22 , 5F073DA04 , 5F073EA07

引用特許：

出願人引用 (8件)

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-222920 出願人：日亜化学工業株式会社
特開平4-240784
ダイヤモンド半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-339371 出願人：キヤノン株式会社

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審査官引用 (11件)

窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-222920 出願人：日亜化学工業株式会社
特開平4-240784
特開平4-240784

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