特許
J-GLOBAL ID:200903026998229132

光半導体素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-018208
公開番号(公開出願番号):特開平11-204808
出願日: 1998年01月13日
公開日(公表日): 1999年07月30日
要約:
【要約】【課題】 製造歩留まりを高くできる光半導体素子を提供する。【解決手段】 透光性基板の一方の主面に活性層を含む半導体層と正電極及び負電極が形成された半導体チップと、正側と負側の端子電極が形成された支持部材とを備え、正電極を正側の端子電極に対向させかつ負電極を負側の電極に対向させてそれぞれ接続して樹脂封止した光半導体素子であって、半導体層と支持部材との間及び透光性基板の側面とに形成された封止樹脂を硬化させる時の収縮力が、透光性基板の他方の主面上の封止樹脂を硬化させるときの収縮力に比較して小さくなるように、透光性基板の他方の主面上の封止樹脂の厚さを薄くした。
請求項(抜粋):
透光性基板の一方の主面に活性層を含む半導体層と正電極及び負電極が形成された半導体チップと、正側と負側の端子電極が形成された支持部材とを備え、上記正電極を上記正側の端子電極に対向させかつ上記負電極を上記負側の電極に対向させてそれぞれ接続して樹脂封止した光半導体素子であって、上記半導体層と上記支持部材との間及び上記透光性基板の側面とに形成された封止樹脂を硬化させる時の収縮力が、上記透光性基板の他方の主面上の封止樹脂を硬化させる時の収縮力に比較して大きくなるように、上記透光性基板の他方の主面上の封止樹脂の厚さを薄くしたことを特徴とする光半導体素子。
引用特許:
審査官引用 (7件)
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