特許

J-GLOBAL ID：200903027003174744

発光ダイオード及びその製造方法

発明者： 村上 哲朗 ,  渡邊 信幸 ,  井ノ口 ゆかり ,  智者 多永子
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 山崎 宏 ,  田中 光雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-311733
公開番号（公開出願番号）：特開2007-258672
出願日： 2006年11月17日
公開日（公表日）： 2007年10月04日
要約：

【課題】材料・面方位によらずいかなる場合にも粗面化手法を用いることができ、特性の不具合が発生するのを防止できる高輝度な発光ダイオード及びその製造方法を提供する。【解決手段】発光ダイオードは、p型GaP基板12と、このp型GaP基板12上に積層されたp型GaPコンタクト層13、p型AlInP第2クラッド層14、p型AlGaInP活性層15、n型AlInP第1クラッド層16及びn型AlGaAs電流拡散層17とを備えている。p型GaP基板12の側面の全部がダイシングブレードで粗面状に加工されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体層からなる発光層と、 この発光層上に設けた半導体層からなる中間層と、 上記中間層上に設けられると共に、上記発光層の出射光に対して透過性を有する透明層と を備え、 上記透明層の表面の一部または全部はダイシングブレードで粗面状に加工されていることを特徴とする発光ダイオード。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 A

Fターム (8件)：

5F041AA04 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA41 ,  5F041CA76 ,  5F041CB01 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開平04-354382号公報
  
• 半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-150717   出願人：日立電線株式会社
• 半導体発光素子および半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-146231   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-006452   出願人：株式会社東芝