特許

J-GLOBAL ID：200903067670359975

半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 吉武 春二 ,  高橋 幸一 ,  布谷 伸仁 ,  大橋 健一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-006452
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209283
出願日： 2002年01月15日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】 半導体多層膜の最上層と透明樹脂との境界における全反射の影響で光取り出し効率が低下するのを防止して、光取り出し効率の向上をはかる。【解決手段】 面方位(100)面のn型GaAs基板10上にInGaAlP活性層13をn型InAlPクラッド層12及びp型InAlPクラッド層14で挟んだダブルへテロ構造部を形成し、その上にp型GaAlAs電流拡散層15,17を形成し、基板10と反対側の面から光を取り出すLEDにおいて、ダブルへテロ構造部の光取り出し面側の電流拡散層17の表面(100)面を加工して(111)面を露出させ、露出させた(111)面にHCl処理を施して微小な凹凸を形成した。

請求項（抜粋）：

基板上に発光層を含む半導体多層膜を積層し、基板と反対側の面から光を取り出す半導体発光素子において、前記半導体多層膜の光取り出し部に(111)面若しくはその近傍の面からなる光取り出し面を有するパターンが形成され、該光取り出し面が凹凸加工されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/183

FI (2件)：

H01L 33/00 B ,  H01S 5/183

Fターム (19件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CB36 ,  5F073AA11 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073AB17 ,  5F073CA06 ,  5F073DA05 ,  5F073DA21 ,  5F073DA35 ,  5F073EA24

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 発光ダイオードの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-293065   出願人：テミツク・テレフンケン・マイクロエレクトロニツク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
• 特開昭51-023868
  
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-357530   出願人：サンケン電気株式会社
• 発光ダイオ-ド及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-373153   出願人：信越半導体株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-309238   出願人：株式会社東芝