特許

J-GLOBAL ID：200903098509033027

半導体発光素子の製造方法

発明者： 今野 泰一郎 ,  新井 優洋
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-150717
公開番号（公開出願番号）：特開2004-356279
出願日： 2003年05月28日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

【課題】コストアップや生産性の低下を招くことなく、内部で発光した光を十分に取り出すことができるようにし、発光出力を十分に高めることのできる半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】n-GaAs基板1上には、MOVPE法によって、n-GaAsバッファ層2、n-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層3、アンドープ(Al0.10Ga0.90)0.5In0.5P活性層4、p-(Al0.7Ga0.3)0.5In0.5Pクラッド層5、及びp-GaP電流分散層6(厚さ14000nm、Znドープ:3×1018cm-3)の各層が順次成膜される。p-GaP電流分散層6上に上面電極7を形成する前に、フッ化水素(HF)、フッ化水素と水の混合液、又はフッ化水素と過酸化水素の混合液を用いて、p-GaP電流分散層6の表面に凹凸9が形成される。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に発光部を形成し、 前記発光部上にリン系材料から成る光取り出し面又は半導体最表面層を形成し、 フッ化水素を含む水溶液を用いて前記光取り出し面又は前記半導体最表面層の表面に凹凸を形成する工程を含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E ,  H01L33/00 B

Fターム (9件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA37 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA93 ,  5F041CA99

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 改善された光収量を有する発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-293067   出願人：テミツク・テレフンケン・マイクロエレクトロニツク・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-335450   出願人：ローム株式会社
• 発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-249232   出願人：スタンレー電気株式会社
• 粗面化された半導体表面を有する半導体デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平8-525284   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-051786   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-047694   出願人：大同特殊鋼株式会社