半導体装置及びインバータ回路

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-071716
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237624
出願日： 2006年03月15日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：

【課題】しきい値制御可能なTFTを有する半導体装置及びインバータ回路を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、バックゲート電極と、前記バックゲート電極に、第1のゲート絶縁膜を介して接して設けられた半導体活性層と、前記半導体活性層に、第2のゲート絶縁膜を介して接して設けられたゲート電極と、を有する複数のTFTと、前記複数のTFTのしきい値を制御するしきい値制御回路と、を有し、前記バックゲート電極には、前記しきい値制御回路によって任意の電圧が印加されることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

バックゲート電極と、前記バックゲート電極に、第1のゲート絶縁膜を介して接して設けられた半導体活性層と、前記半導体活性層に、第2のゲート絶縁膜を介して接して設けられたゲート電極と、を有する複数のTFTと、前記複数のTFTのしきい値を制御するしきい値制御回路と、を有し、前記バックゲート電極には、前記しきい値制御回路によって任意の電圧が印加されることを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 29/786 , H01L 27/08 , H01L 27/088 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 27/00 , H01L 21/822 , H01L 27/04

FI (12件)：

H01L29/78 617N , H01L29/78 612B , H01L29/78 613A , H01L27/08 331E , H01L27/08 102A , H01L27/08 102C , H01L27/08 102E , H01L27/08 321B , H01L27/08 321D , H01L27/08 321G , H01L27/00 301A , H01L27/04 F

Fターム (73件)：

2H092JA24 , 2H092KA04 , 2H092MA12 , 2H092MA28 , 2H092MA35 , 2H092MA37 , 2H092PA06 , 5F038DF01 , 5F038DF08 , 5F038DT12 , 5F038EZ14 , 5F038EZ16 , 5F038EZ17 , 5F038EZ20 , 5F048AA01 , 5F048AB03 , 5F048AB04 , 5F048AC01 , 5F048AC04 , 5F048BA16 , 5F048BA19 , 5F048BB01 , 5F048BB03 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB15 , 5F048BC06 , 5F048BC16 , 5F048BD10 , 5F048BE08 , 5F048BF16 , 5F048BG07 , 5F048CB01 , 5F048DA23 , 5F048DA24 , 5F110AA08 , 5F110AA09 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110EE01 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE30 , 5F110EE34 , 5F110FF02 , 5F110FF23 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN45 , 5F110NN46 , 5F110NN72 , 5F110PP10 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ11 , 5F110QQ24 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜トランジスタ回路および画像表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-046511 出願人：シャープ株式会社
特開昭60-247328
特開昭63-055975

全件表示

前のページに戻る