半導体装置の配線

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-078894
公開番号（公開出願番号）：特開平6-268083
出願日： 1993年03月11日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】本発明は、高温スパッタ法で成膜する配線形成膜(例えばアルミニウム系金属膜)の表面モホロジーを高めて、多層配線構造への適用、レジスト膜感光時のハレーションの低減、エレクトロマイグレーション耐性の向上等を図る。【構成】基板11の成膜面11aに対して垂直方向に結晶の配向をそろえた下地膜12と、その下地膜12の配向にそって、成膜面11aに対して垂直方向に結晶の配向をそろえた配線形成膜13とよりなるものである。例えば下地膜12は、基板の成膜面に対して垂直方向に結晶の配向をそろえたもので、結晶を(002) ,(010) または(011) 配向させたチタン膜よりなる。また配線形成膜13は、上記各チタン膜の配向にそって、基板の成膜面に対して垂直方向に結晶の配向をそろえたもので、かつ結晶を(111) 配向させたアルミニウム系金属膜とよりなる。

請求項（抜粋）：

基板の成膜面に対して垂直方向に結晶の配向をそろえた配線形成膜よりなることを特徴とする半導体装置の配線。

IPC (3件)：

H01L 21/90 , H01L 21/28 301 , H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-346435
特開平3-016132
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-162478 出願人：松下電器産業株式会社

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