特許
J-GLOBAL ID：200903027037190315
X線露光用マスクとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-124180
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321495
出願日： 1997年05月14日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 マスク構成および製造プロセスに起因するパターン位置変位の小さい(位置精度の高い)X線露光マスクおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】 下部単結晶シリコン基板11と上部単結晶シリコン基板12が二酸化珪素膜13にて貼り合わされた貼り合わせ基板10を用いて、まず上部単結晶シリコン基板12上に、電子線描画やフォトリソグラフィの手段により、レジストパターン14を形成し、このレジストパターン14をマスクとして上部単結晶シリコン基板12をドライエッチングしてX線吸収部12a及びX線透過部15からなるパターン領域を形成する。 一方下部シリコン基板11側の保護膜パターン16aをマスクとして下部単結晶シリコン基板11を80〜90°CのKOH水溶液等によりバックエッチングして開口部17及び支持枠体11aを形成して本発明のX線露光マスクを作製する。
請求項（抜粋）：
X線吸収部とX線透過部とからなるパターン領域と、前記パターン領域を固定する支持枠体とからなるX線露光用マスクにおいて、前記X線吸収部が単結晶シリコンからなることを特徴とするX線露光用マスク。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 1/16
, G21K 5/08
H01L 21/30 531 M
, G03F 1/16 A
, G21K 5/08 Z
