特許

J-GLOBAL ID：200903027045264328

強誘電体薄膜、及びその製造方法

発明者： 森山 弘朗 ,  羽賀 浩一 ,  武田 朋 ,  梨本 恵一
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 中島 淳 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-279103
公開番号（公開出願番号）：特開2000-103693
出願日： 1998年09月30日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】 各種電子デバイスやエレクトロニクス用デバイスなどへ利用可能な、薄膜の剥離やクラック、ディンプル状の欠陥のない均一な表面を有する高品質な強誘電体薄膜、及び、これを低設備コストで効率よく製造する強誘電体薄膜の製造方法を提供することにある。【解決手段】 金属有機化合物の有機溶媒溶液を、相対湿度が1%RH以上25%RH以下の雰囲気下で基板上に塗布し、次いで熱処理することによりエピタキシャル成長させて得ることを特徴とする強誘電体薄膜である。

請求項（抜粋）：

金属有機化合物の有機溶媒溶液を、相対湿度が1%RH以上25%RH以下の雰囲気下で基板上に塗布し、次いで熱処理することによりエピタキシャル成長させて得ることを特徴とする強誘電体薄膜。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 強誘電体薄膜素子の製造方法、及び強誘電体薄膜素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-168339   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 配向性強誘電体薄膜素子の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-170892   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 特開平4-256466
  
• 特開平4-149090