特許
J-GLOBAL ID：200903027061900404

化合物半導体装置およびその製造方法

発明者：
寺野 昭久

寺野 昭久 について

, 
増田 宏

増田 宏 について

, 
田上 知紀

田上 知紀 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-098688
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353163
出願日： 1995年01月09日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】化合物半導体に対して、良好なオーミック特性とショットキー特性を有する電極を有する化合物半導体装置を提供する。【解決手段】化合物半導体基板10上に積層された5層構造の電極20を具備し、第1の高融点金属層と第3の高融点金属層の間に、当該第3の高融点金属層を構成する成分の、上記化合物半導体への拡散を防止し得る第2の高融点金属層を介在させる。【効果】化合物半導体に対して良好なオーミック特性およびショットキ特性を有する電極が容易に得られる。
請求項（抜粋）：
化合物半導体基板上に順次積層して形成された、上記化合物半導体基板とオーミック接続する所定の形状を有する第1の高融点金属層、第2の高融点金属層、第3の高融点金属層、第4の高融点金属層および低抵抗導電体層からなる電極を具備し、上記第2の高融点金属層は、上記第3の高融点金属層を構成する成分の上記半導体基板への拡散を防止する機能を有していることを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/331 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/737 ,  H01L 29/812
FI (5件)：
H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 G ,  H01L 21/28 301 B ,  H01L 29/80 M ,  H01L 29/72 H
Fターム (54件)：
4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA07 ,  4M104BB06 ,  4M104BB10 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD35 ,  4M104DD68 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104EE09 ,  4M104EE16 ,  4M104GG06 ,  4M104GG11 ,  4M104GG12 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F003BA92 ,  5F003BB01 ,  5F003BE01 ,  5F003BH08 ,  5F003BH99 ,  5F003BM03 ,  5F003BP11 ,  5F003BP12 ,  5F003BP32 ,  5F003BP93 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK05 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GL05 ,  5F102GM05 ,  5F102GM06 ,  5F102GM08 ,  5F102GN05 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS02 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01 ,  5F102HC02 ,  5F102HC07 ,  5F102HC16 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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