特許
J-GLOBAL ID:200903027077063170

アクティブマトリクス型表示装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-181502
公開番号(公開出願番号):特開2001-060693
出願日: 1994年04月29日
公開日(公表日): 2001年03月06日
要約:
【要約】【課題】薄膜トランジスタを用いたアクティブマトリクス型表示装置に於いて、遮光方法を提供する。【解決手段】基板と、前記基板上方に形成され、薄膜トランジスタからなるスイッチング素子と、前記薄膜トランジスタ上方に形成された有機樹脂膜と、前記透明有機樹脂膜上に形成された遮光膜と、前記遮光膜上方に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極とを有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置である。
請求項(抜粋):
基板と、前記基板上方に形成され、薄膜トランジスタからなるスイッチング素子と、前記薄膜トランジスタ上方に形成された有機樹脂膜と、前記透明有機樹脂膜上に形成された遮光膜と、前記遮光膜上方に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成され、前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極とを有することを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
IPC (5件):
H01L 29/786 ,  G02F 1/1335 500 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 349
FI (6件):
H01L 29/78 619 B ,  G02F 1/1335 500 ,  G09F 9/30 338 ,  G09F 9/30 349 C ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 616 T
引用特許:
審査官引用 (15件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-114449   出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
  • アクテイブマトリクス型表示装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-238312   出願人:セイコーエプソン株式会社
  • 特開平2-015676
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