特許
J-GLOBAL ID：200903027079839117
光半導体素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
真田 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-229426
公開番号（公開出願番号）：特開2009-064838
出願日： 2007年09月04日
公開日（公表日）： 2009年03月26日
要約：
【課題】リッジ構造の側面に回折格子を有する光半導体素子において、マイクロローディング効果を抑制しながら、所望の結合係数が得られるようにし、かつ、電流拡がりを抑制できるようにする。【解決手段】光半導体素子を、半導体基板1上に形成されたリッジ構造2を有する光導波路11と、リッジ構造2の側面に形成され、光導波方向に沿って交互に形成された凹部3Aと凸部3Bで構成され、所望の長さを有する回折格子3と、凸部3Bの端部との間に凹部3Aの幅と同程度の幅を有する溝5が形成されるように、リッジ構造2及び回折格子3が形成されている領域以外の領域に形成されたダミー構造体4とを備えるものとする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成されたリッジ構造を有する光導波路と、
前記リッジ構造の側面に形成され、光導波方向に沿って交互に形成された凹部と凸部で構成され、所望の長さを有する回折格子と、
前記凸部の端部との間に前記凹部の幅と同程度の幅を有する溝が形成されるように、前記リッジ構造及び前記回折格子が形成されている領域以外の領域に形成されたダミー構造体とを備えることを特徴とする光半導体素子。
IPC (3件)：
H01S 5/12
, H01S 5/343
, H01S 5/227
H01S5/12
, H01S5/343
, H01S5/227
5F173AA05
, 5F173AB16
, 5F173AF08
, 5F173AF09
, 5F173AG20
, 5F173AH03
, 5F173AH49
, 5F173AP05
, 5F173AP09
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AR01
, 5F173AR61
, 5F173AR99
