特許

J-GLOBAL ID：200903027081051098

半導体装置

発明者： 荒島 可典 ,  安部 博文 ,  伴 博行
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (2件)： 碓氷 裕彦 ,  加藤 大登
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-172789
公開番号（公開出願番号）：特開2004-022651
出願日： 2002年06月13日
公開日（公表日）： 2004年01月22日
要約：

【課題】発熱素子が形成された半導体基板とこの半導体基板の一方の面に形成され発熱素子と電気的に接続されたバンプ電極とを備え、実装基板に搭載された半導体装置において、半導体装置の放熱性を向上させること。【解決手段】本発明では、半導体装置20のバンプ電極6aが形成された面20aにおける発熱素子8が形成された領域に対応する領域には、発熱素子8とは接続されていないダミーバンプ6bが設けられていることを特徴としている。それによって、半導体基板1に形成された発熱素子8から発生した熱の放熱経路は、バンプ電極6aを介して実装基板9に放熱する経路に加えて、ダミーバンプ6bを介して実装基板9に放熱する経路を構築することができる。その結果、半導体装置20の放熱性を向上させることができるため、熱による発熱素子8の特性変動を抑制することができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

発熱素子が形成された半導体基板と当該半導体基板の一方の面に形成され前記発熱素子と電気的に接続されたバンプ電極とを備えた半導体装置において、 前記半導体基板の一方の面における前記発熱素子が形成された領域と対応する領域に、前記発熱素子とは接続されていないダミーバンプを設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L23/36

FI (1件)：

H01L23/36 D

Fターム (5件)：

5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BB21 ,  5F036BC33 ,  5F036BE09

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-052445
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-287480   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-242035   出願人：日本電気株式会社
• 特開昭63-052445