構造評価方法,半導体装置の製造方法及び記録媒体

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-180492
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076083
出願日： 2001年06月14日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】光学的評価方法を用いた評価精度の高い構造評価方法,半導体装置の製造方法及び記録媒体を提供する。【解決手段】プロセス条件の初期推定値を設定し、プロセスシミュレータによる半導体デバイスの要素の構造の推定を行なった後、物理量測定値の予想値を計算する。そして、光学的評価方法による半導体デバイスの要素の物理量の実測値と理論計算値とを互いに比較して、例えば急速降下法などを利用して、測定された半導体デバイスの要素の確からしい構造を求める。この結果を利用して、他の半導体デバイスの要素に対するプロセスにおけるプロセス条件を補正することもできる。

請求項（抜粋）：

光学的評価方法により、半導体デバイスの要素の物理量の複数の実測値を得るステップ(a)と、上記要素を形成するためのプロセス条件を仮定し、この仮定されたプロセス条件を用いたプロセスを経て形成される上記要素の構造を計算により求めるステップ(b)と、上記ステップ(b)で求められた上記要素の構造を上記光学的評価方法により評価したときに得られる物理量の複数の測定値の予想値を計算するステップ(c)と、上記要素の物理量の上記複数の実測値と上記複数の測定値の予想値とに基づいて、上記要素の構造を推定するステップ(d)とを含む構造評価方法。

IPC (7件)：

H01L 21/66 , G01N 21/00 , G01N 21/21 , G01N 21/27 , H01L 21/205 , G01J 3/28 , G01J 4/04

FI (7件)：

H01L 21/66 N , G01N 21/00 B , G01N 21/21 Z , G01N 21/27 B , H01L 21/205 , G01J 3/28 , G01J 4/04

Fターム (36件)：

2G020AA04 , 2G020BA04 , 2G020BA18 , 2G020CA03 , 2G020CA15 , 2G020CB43 , 2G020CD04 , 2G020CD12 , 2G020CD22 , 2G059AA03 , 2G059BB10 , 2G059EE02 , 2G059EE12 , 2G059HH02 , 4M106AA01 , 4M106BA10 , 4M106BA20 , 4M106CA48 , 4M106CB21 , 4M106DH03 , 4M106DH12 , 4M106DH31 , 4M106DJ17 , 4M106DJ18 , 4M106DJ20 , 4M106DJ21 , 5F045AA07 , 5F045AB02 , 5F045AB05 , 5F045AC01 , 5F045BB16 , 5F045CA02 , 5F045DA58 , 5F045DA63 , 5F045GB13 , 5F045GB17

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体中の元素濃度の測定および制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-199457 出願人：富士通株式会社
薄膜評価装置、薄膜評価方法、半導体シミュレーション装置、半導体シミュレーション方法、薄膜評価プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体、及びシミュレーションプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-181002 出願人：株式会社東芝

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