特許
J-GLOBAL ID：200903027103853274
半導体スイッチのスイッチング信号調整装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-306579
公開番号（公開出願番号）：特開2000-134910
出願日： 1998年10月28日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】 直列多重接続したIGBTの電圧分担を均一化して、素子破壊を防止する。【解決手段】 複数のIGBT41,42・・・4nを直列多重接続して直列多重スイッチ30が構成されている。各IGBTには、時間遅れ発生回路51,52・・・5nを介してゲート信号Gが入力され、また各IGBTの入力端子-出力端子間電圧は、電圧測定回路71,72・・・7nにより測定されている。測定電圧の値は、ターンオフタイミングが早い素子程高くなる。時間遅れコントローラ60は、測定電圧が高い素子に対応して配置された時間遅れ発生回路の遅れ時間を遅らせる。このため、前回において早くターンオフした素子には、前回よりも時間遅れしてゲート信号Gが入力され、その素子のターンオフタイミングが遅れ、その素子の測定電圧(分担電圧)が低下する。
請求項（抜粋）：
自己消弧型の電力用半導体素子を直列多重接続してなる半導体スイッチにおいて、各電力用半導体素子に対応して配置されており、入力されたスイッチング信号を、設定された遅れ時間だけ時間遅れさせてから対応する電力用半導体素子のスイッチング端子に送る複数の時間遅れ発生回路と、各電力用半導体素子に対応して配置されており、各電力用半導体素子の入力端子-出力端子間電圧を測定して測定電圧として出力する複数の電圧測定回路と、各電力用半導体素子がオフしているときの前記測定電圧のうち、電圧値の高い電力用半導体素子に対応して配置されている前記時間遅れ発生回路に設定した遅れ時間を増加させるように制御する遅れ時間コントローラと、を備えて構成したことを特徴とする半導体スイッチのスイッチング信号調整装置。
IPC (3件)：
H02M 1/00
, H02M 7/537
, H02M 7/5387
H02M 1/00 K
, H02M 7/537 E
, H02M 7/5387 Z
5H007AA03
, 5H007AA07
, 5H007CA01
, 5H007CB05
, 5H007CC23
, 5H007DB07
, 5H007DC05
, 5H007FA01
, 5H007FA13
, 5H740BA11
, 5H740BB01
, 5H740BB09
, 5H740JA28
, 5H740MM02
, 5H740MM06
