特許
J-GLOBAL ID：200903027104810340
半導体装置およびその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-254258
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087731
出願日： 1997年09月03日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：
【要約】【課題】 ボトムゲイト型TFTのしきい値電圧を効果的に制御するための手段を提供する。【解決手段】 ガラス基板101上のゲイト電極103、104、ゲイト絶縁膜107上に非晶質珪素膜108を形成し、結晶化して結晶性珪素膜109を得る。その上にバッファ層110を形成して、しきい値電圧を制御するための不純物元素(13族または15族から選ばれた元素)を添加する。この添加方法としてはイオン注入法またはイオンドーピング法を用いる。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に形成された複数のボトムゲイト型TFTを構成に含む半導体装置であって、前記複数のボトムゲイト型TFTのうち、NTFTのチャネル形成領域には15族から選ばれた元素が意図的に含ませてあり、且つ、PTFTのチャネル形成領域には13族から選ばれた元素が意図的に含ませてあり、前記NTFT及びPTFTのチャネル形成領域中における前記元素の濃度は、前記チャネル形成領域と当該チャネル形成領域に接したゲイト絶縁膜との界面に近づくほど減少していくことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 617 A
, G02F 1/136 500
, H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 613 A
, H01L 29/78 616 A
, H01L 29/78 618 F
, H01L 29/78 627 G
