水溶性フォトレジスト組成物のパターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萼経夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-287229
公開番号（公開出願番号）：特開2000-098630
出願日： 1998年09月24日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】ノークロム水溶性フォトレジスト組成物による高速エッチング条件に耐え得るレジストパターンの形成方法の提供。【解決手段】カゼインと水溶性アジド化合物及び有機酸のカルシウム塩を含有せしめた水溶性フォトレジスト組成物を金属薄板等の基板に塗布して耐エッチング性レジスト膜を形成し、所定のマスクパターンを介して選択的に露光し、未露光部を水で現像除去した後、残ったレジストパターンをタンニン酸の水溶液に接触あるいは浸漬処理して硬膜化し、余分のタンニン酸を水洗除去し、水切りあるいは乾燥し、次いで加熱して該レジスト膜の耐エッチング性を増強することを特徴とするレジストパターンの形成方法。

請求項（抜粋）：

カゼインと水溶性アジド化合物及び有機酸のカルシウム塩を含有する水溶性フォトレジスト組成物によって形成されたレジスト膜を水性現像液で現像し、タンニン酸の水溶液で処理することを特徴とする耐エッチング性の強化されたレジストパターンの形成方法。

IPC (3件)：

G03F 7/40 501 , G03F 7/008 , H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 7/40 501 , G03F 7/008 , H01L 21/30 570

Fターム (28件)：

2H025AA07 , 2H025AB06 , 2H025AC01 , 2H025AD01 , 2H025BA06 , 2H025EA04 , 2H025FA01 , 2H025FA17 , 2H025FA29 , 2H025FA31 , 2H025FA48 , 2H096AA19 , 2H096BA02 , 2H096CA14 , 2H096DA01 , 2H096EA02 , 2H096GA08 , 2H096GA25 , 2H096HA01 , 2H096HA18 , 5F046AA02 , 5F046CA02 , 5F046JA01 , 5F046JA04 , 5F046KA01 , 5F046LA09 , 5F046LA19 , 5F046MA02

引用特許：

出願人引用 (8件)

水溶性フォトレジスト組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-287383 出願人：冨士薬品工業株式会社
特開昭59-229552
水溶性フォトレジスト膜の硬膜方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-018959 出願人：大日本スクリーン製造株式会社

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