特許
J-GLOBAL ID:200903027115102398
半導体パッケージ及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 青山 正和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-194663
公開番号(公開出願番号):特開2006-019428
出願日: 2004年06月30日
公開日(公表日): 2006年01月19日
要約:
【課題】 気密性や耐湿性、耐薬品性に優れた半導体パッケージ構造を得る。【解決手段】 半導体基材と、該半導体基材の一方の面側に配置された機能素子及び該機能素子に第1の配線を介して電気的に接続されたパッドと、該パッドと電気的に接続され前記半導体基材の一方の面から他方の面に至る微細な孔内に絶縁膜Aを介して第1の導電体を充填してなる貫通電極とを少なくとも備えてなる第1の基板、及び前記機能素子の周囲に配置された封止材を用いて前記第1の基板の一方の面と接合されてなる第2の基板からなる半導体パッケージであって、前記絶縁膜Aは、前記半導体基材の他方の面に配置される絶縁膜B、前記半導体基材の外側面に配置される絶縁膜C及び前記封止材の外側面に配置される絶縁膜Dと連結して形成した半導体パッケージとした。さらに前記絶縁膜の外側を導電体で二重に覆ったものとすればなお良い。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体基材と、該半導体基材の一方の面側に配置された機能素子及び該機能素子に第1の配線を介して電気的に接続されたパッドと、該パッドと電気的に接続され前記半導体基材の一方の面から他方の面に至る微細孔内に絶縁膜Aを介して第1の導電体を形成してなる貫通電極とを少なくとも備えてなる第1の基板、及び前記機能素子の周囲に配置された封止材を用いて前記第1の基板の一方の面と接合されてなる第2の基板からなる半導体パッケージであって、前記絶縁膜Aは、前記半導体基材の他方の面に配置される絶縁膜B、前記半導体基材の外側面に配置される絶縁膜C及び前記封止材の外側面に配置される絶縁膜Dとを具備してなることを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (6件):
H01L 23/02
, H01L 23/06
, H01L 23/12
, H01L 23/52
, H01L 21/320
, H01L 31/02
FI (6件):
H01L23/02 Z
, H01L23/06 Z
, H01L23/12 501T
, H01L21/88 J
, H01L21/88 T
, H01L31/02 B
Fターム (32件):
5F033HH08
, 5F033HH09
, 5F033HH11
, 5F033HH14
, 5F033HH17
, 5F033JJ07
, 5F033JJ08
, 5F033JJ11
, 5F033MM30
, 5F033NN33
, 5F033QQ09
, 5F033QQ11
, 5F033QQ73
, 5F033QQ76
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR14
, 5F033RR15
, 5F033RR22
, 5F033SS04
, 5F033SS15
, 5F033SS25
, 5F033SS27
, 5F033VV07
, 5F033XX18
, 5F033XX33
, 5F088BA11
, 5F088BA13
, 5F088BA18
, 5F088CB14
, 5F088GA04
, 5F088GA10
引用特許: