特許

J-GLOBAL ID：200903027148683043

半導体装置の製造方法およびその製造装置

発明者： 田代 健二 ,  松谷 哲也
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-315508
公開番号（公開出願番号）：特開2008-130893
出願日： 2006年11月22日
公開日（公表日）： 2008年06月05日
要約：

【課題】半導体基板のベベル部に付着した付着物を効果的に除去することができ、製品の歩留りの低下を抑制させた半導体装置の製造方法およびこれに用いられる製造装置を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、保持チャック31に保持された半導体基板10のベベル部をリングヒーター30を用いて加熱する工程(a)と、工程(a)の後、吐出ノズル32から噴出された洗浄液33により、半導体基板10のベベル部を洗浄する工程(b)とを備えている。工程(a)では、リングヒーター30をベベル部における上面と側面と下面とを覆うように設置する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板保持機構に保持された半導体基板のベベル部を加熱機構を用いて加熱する工程(a)と、 前記工程(a)の後、前記半導体基板のベベル部を洗浄液により洗浄する工程(b)とを備えている半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 ,  H01L 21/306

FI (6件)：

H01L21/304 648G ,  H01L21/304 647Z ,  H01L21/304 645B ,  H01L21/304 645D ,  H01L21/302 102 ,  H01L21/306 R

Fターム (11件)：

5F004AA14 ,  5F004BB24 ,  5F004BB26 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23 ,  5F004FA08 ,  5F043AA40 ,  5F043BB30 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE10

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-311711   出願人：関西日本電気株式会社
• 半導体ウェハの洗浄装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-128117   出願人：三星電子株式会社