半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：亀谷美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-038467
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243083
出願日： 1999年02月17日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】回路規模の増加を抑えつつ,高速アクセスに対応可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】センスアンプA1-1は,カレントミラー回路3,5,NORゲート7,インバータ9,11,および読み出しデータ遷移検出回路13を備えるものである。インバータ9から出力される読み出しデータ/RD1,および,インバータ11から出力される読み出しデータRD1は,読み出しデータ遷移検出回路13に入力される。読み出しデータ遷移検出回路13は,NORゲート15を備えており,読み出しデータ/RD1または読み出しデータRD1のいずれかが論理的高レベルのとき,ノードn/DT1に対して,論理的低レベルの遷移検出信号/DT1-1を出力する。センスアンプA1-1に対応する出力回路は,遷移検出信号/DT1-1に従い,読み出しデータRD1を取り込む。

請求項（抜粋）：

格納されているデータを増幅し,読み出しデータとして出力するn(nは,2以上の整数である。)個のセンスアンプと,前記各センスアンプから出力される読み出しデータに基づき,出力データを出力するn個の出力回路と,を備えた半導体記憶装置であって,前記各センスアンプは,前記各出力回路に対して出力する前記各読み出しデータのレベルが遷移し確定したことを検出し,読み出しデータ遷移検出信号を出力する読み出しデータ遷移検出回路を備えたことを特徴とする,半導体記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 11/409 , G11C 11/407

FI (4件)：

G11C 11/34 354 Q , G11C 11/34 353 E , G11C 11/34 354 C , G11C 11/34 354 H

Fターム (7件)：

5B024AA01 , 5B024AA03 , 5B024BA09 , 5B024BA21 , 5B024BA29 , 5B024CA09 , 5B024CA11

引用特許：

出願人引用 (6件)

半導体記憶装置の読み出し回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-289464 出願人：株式会社沖マイクロデザイン宮崎, 沖電気工業株式会社
半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-196691 出願人：三洋電機株式会社
特開平4-105295

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審査官引用 (4件)

半導体記憶装置の読み出し回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-289464 出願人：株式会社沖マイクロデザイン宮崎, 沖電気工業株式会社
半導体メモリ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-196691 出願人：三洋電機株式会社
特開平4-105295

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