特許
J-GLOBAL ID：200903027247509543
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-130716
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321721
出願日： 1997年05月21日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 配線層間を接続するメタルプラグのコンタクト接触面積を十分確保して接触抵抗の増大を防止し、さらにプラグロスをなくして配線層の平坦化を図った半導体装置を提供する。【解決手段】 第1配線層1上に層間絶縁膜2を介して第2配線層3を有し、これらの第1および第2配線層間に形成したコンタクトホール5内に充填した金属材料からなるメタルプラグ7により前記第1および第2配線層同士を電気的に接続する多層配線構造を備えた半導体装置において、前記コンタクトホール5を第2配線層3の上面まで形成し、メタルプラグ7側面と第2配線層3とを電気的に接続させた。
請求項（抜粋）：
第1配線層上に層間絶縁膜を介して第2配線層を有し、これらの第1および第2配線層間に形成したコンタクトホール内に充填した金属材料からなるメタルプラグにより前記第1および第2配線層同士を電気的に接続する多層配線構造を備えた半導体装置において、前記コンタクトホールを第2配線層の上面まで形成し、メタルプラグ側面と第2配線層とを電気的に接続させたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768
, H01L 21/3065
, H01L 21/3213
H01L 21/90 B
, H01L 21/302 L
, H01L 21/88 D
