半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：畑泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-024705
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223663
出願日： 1999年02月02日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】ペアトランジスタのような電気的性能の揃ったトランジスタを歩留まり良く製造可能にした半導体装置を提供する。【解決手段】第1のトランジスタ4Aと第2のトランジスタ4Bとが同一の電気的性能を備えるように構成した半導体装置において、前記第1のトランジスタ4Aと第2のトランジスタ4B間に、前記第1のトランジスタ4Aのゲート1と第2のトランジスタ4Bのゲート11に並列にダミーゲート4D2を配置すると共に、前記第1のトランジスタ4Aのゲート1と第2のトランジスタ4Bのゲート11と前記ダミーゲート4D2とを連続的に等間隔になるように配置したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1のトランジスタと第2のトランジスタとが同一の電気的性能を備えるように構成した半導体装置において、前記第1のトランジスタと第2のトランジスタ間に、前記第1のトランジスタのゲートと第2のトランジスタのゲートに並列にダミーゲートを配置すると共に、前記第1のトランジスタのゲートと第2のトランジスタのゲートと前記ダミーゲートとを連続的に等間隔になるように配置したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8234 , H01L 27/088

FI (2件)：

H01L 27/04 A , H01L 27/08 102 C

Fターム (18件)：

5F038AV06 , 5F038CA02 , 5F038CA06 , 5F038CA18 , 5F038CD10 , 5F038DF14 , 5F038DF20 , 5F038EZ01 , 5F038EZ16 , 5F038EZ20 , 5F048AA01 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB01 , 5F048BB02 , 5F048BB05 , 5F048BD01 , 5F048DA04

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-001161 出願人：日本電気株式会社
特開平2-121366
特開平3-116726

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