特許

J-GLOBAL ID：200903027276604628

高誘電率膜の電気的特性を改善するための方法

発明者： ヤンジュン マー ,  ヨシ オノ
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-081511
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313292
出願日： 2001年03月21日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】 誘電体の電気的特性を改善した高誘電率膜を形成すること。【解決手段】 半導体デバイスのための誘電体層を形成する方法であって、a)半導体基板を提供する工程と、b)基板上に初期誘電体層を形成する工程と、c)チャンバ内に基板を配置する工程と、d)チャンバ内にプラズマ放電を生成することによって、初期誘電体層にイオンを注入する工程であって、プラズマ放電が注入される材料を含むことで、材料が誘電体層に注入される、工程と、e)基板をアニーリングし、注入後の誘電体層を適切に調整する工程とを包含する方法。

請求項（抜粋）：

半導体デバイスのための誘電体層を形成する方法であって、a)半導体基板を提供する工程と、b)該基板上に初期誘電体層を形成する工程と、c)チャンバ内に該基板を配置する工程と、d)該チャンバ内にプラズマ放電を生成することによって、該初期誘電体層にイオンを注入する工程であって、該プラズマ放電が注入される材料を含むことで、該材料が該誘電体層に注入される、工程と、e)該基板をアニーリングし、注入後の該誘電体層を適切に調整する工程とを包含する方法。

IPC (12件)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (9件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 27/10 444 A ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 371 ,  H01L 29/78 617 V

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体素子のキャパシタ形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-176567   出願人：現代電子産業株式会社
• 酸化物の処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-241170   出願人：ソニー株式会社
• 特開平4-199828
  
• 特開平1-128530