特許
J-GLOBAL ID：200903098516824374

半導体素子のキャパシタ形成方法

発明者：
林 燦

林 燦 について


出願人/特許権者：
現代電子産業株式会社

現代電子産業株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-176567
公開番号（公開出願番号）：特開平11-017153
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 1999年01月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子の電気特性の優れたキャパシタ形成方法を提供する。【解決手段】 高誘電率を有するTa2 O5 膜を誘電体膜に用いるキャパシタからPECVD方法で蒸着されたTa2 O5 膜の不良な段差被覆性を改良するため、先ず下部の電荷貯蔵電極表面を特殊処理し、段差被覆性が優れたLPCVD方法でTa2 O5 膜を蒸着することによりキャパシタの電気的特性を改良し、漏洩電流の発生を防止してそれに伴う半導体素子の特性及び信頼性を向上させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板を提供する工程と、半導体基板上部に電荷貯蔵電極を形成する工程と、前記電荷貯蔵電極全表面を窒化化する工程と、前記窒化した電荷貯蔵電極の表面をプラズマ処理して酸化させる工程と、前記電荷貯蔵電極表面にLPCVD方法でTa2 O5 膜を蒸着し、これをプラズマ処理する段階を少なくとも一回以上行う工程と、前記Ta2 O5 膜を熱処理する工程と、全表面上部にプレート電極を形成する工程を含む半導体素子のキャパシタ形成方法。
IPC (4件)：
H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822
FI (2件)：
H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C
引用特許：
審査官引用 (5件)
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