特許

J-GLOBAL ID：200903027292433981

コントロールした表面温度における多孔質基材への物質の蒸気相化学浸透方法

発明者： ドゥルペリエ、ベルナール ,  ロバン-ブロス、クリスチャン ,  ドンブリデ、ジャン-リュック ,  ボンデュー、ジレ
出願人/特許権者： ソシエテ・ユーロペーヌ・ドゥ・プロプルシオン
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-512439
公開番号（公開出願番号）：特表平9-504263
出願日： 1994年09月20日
公開日（公表日）： 1997年04月28日
要約：

【要約】基材(10)を容器(12)内に配置して加熱し、基材の露出表面におけるより、基材の露出表面から離れた部分においてより高い温度を基材が有するようにする。含浸すべき物質の前駆体を構成する反応気体は、容器に導入され、その物質の生成はより高い温度にある基材の部分において促進される。含浸プロセスの最初および少なくともその主要部分の間、基材の露出表面から離れた基材の部分は付着最低温度より高い状態で、基材の露出表面を含浸すべき物質を付着させるのに必要な反応気体の最低温度より高くない値に維持するように、基材加熱をコントロールする。

請求項（抜粋）：

多孔質基材内に物質を含浸させるCVI方法であって、 基材を容器内に配置する工程、 基材は、その露出表面からより離れた部分において、該表面におけるより高い温度を有するように温度勾配を内部に形成するように、基材を加熱する工程、および 含浸すべき物質の前駆体を構成する反応気体を容器に導入し、含浸すべき物質の生成が基材のより高い温度の部分において促進される工程を含んで成り、 含浸プロセスの開始時および少なくともその主要部分の間、基材の露出表面の温度を、含浸すべき物質を反応気体が付着させる最低温度より大きくない温度に保持し、他方、基材の露出表面から遠い基材の部分は付着の最低温度より高い状態にあるように、基材加熱をコントロールすることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

C04B 35/84 ,  C04B 35/80

FI (2件)：

C04B 35/84 ,  C04B 35/80 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭60-021885
  
• 特開平4-108680
  
• 気相含浸方法及び気相含浸装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-077233   出願人：京セラ株式会社
• 多孔性構造体を迅速に緻密化する方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-506579   出願人：アライドシグナル・インコーポレーテッド