特許
J-GLOBAL ID：200903027318240885

半導体装置及びその製造方法

発明者：
小林 研也

小林 研也 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 天野 広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-432376
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191359
出願日： 2003年12月26日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】 MOSFETがよりハイパワーであり、且つ高集積化が容易な半導体装置を提供する。【解決手段】 トレンチ型のゲート4により囲われた縦型MOSFET2を複数備える半導体装置1である。各縦型MOSFET2は、ゲート4に囲われた低濃度ベース領域30を備える。各縦型MOSFET2は、低濃度ベース領域30の表層部の第1のソース領域21と、低濃度ベース領域30の少なくとも表層部の高濃度ベース領域22と、低濃度ベース領域30の表層部の第2のソース領域23と、の3つの領域を、この順に並んだ配置状態で備える。各縦型MOSFET2における第1及び第2のソース領域21,23は相互に不連続とされ、隣り合う縦型MOSFET2間では、相互の高濃度ベース領域22が不連続とされ、相互のソース領域21,23も不連続とされている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複数の単位セルを備える半導体装置において、 各単位セルは、 相互の間隔領域に配設されたトレンチ型のゲートにより囲われた縦型MOSFETであり、 各縦型MOSFETは、 前記ゲートに囲われた領域に低濃度ベース領域を備え、前記低濃度ベース領域の表層部に形成された第1のソース領域と、前記低濃度ベース領域の少なくとも表層部に形成された高濃度ベース領域と、前記低濃度ベース領域の表層部に形成された第2のソース領域と、の3つの領域を、平面視においてこの順に並んだ配置状態で備え、 各縦型MOSFETにおける前記第1及び第2のソース領域は相互に不連続とされ、 隣り合う縦型MOSFET間では、相互の高濃度ベース領域が不連続とされているとともに、相互のソース領域も不連続とされていることを特徴とする半導体装置。
IPC (1件)：
H01L29/78
FI (4件)：
H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652B ,  H01L29/78 652C ,  H01L29/78 652S
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (2件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-099576   出願人：ローム株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-173852   出願人：株式会社東芝

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