マスク処理装置、マスク処理方法、プログラム、およびマスク

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-068875
公開番号（公開出願番号）：特開2004-266234
出願日： 2003年02月06日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】容易に荷電粒子線露光装置に用いられるマスクを作成することができるマスク処理装置、マスク処理方法、プログラム、およびマスクを提供する。【解決手段】設計データ151、および少なくとも相補ステンシルマスクの特性を示すマスク特性データ152に基づいて、アライメントマークを生成し、メンブレン形状設計を行い、PUF分割および境界処理を行い、相補分割を行い、つなぎ処理を行い、相補パターンの配置処理を行い、パターン形状検証を行い、メンブレン内保証を行い、マスク構成処理を行い、露光検証を行い、マスク反転補正処理を行い、補正結果検証を行い、データ変換処理を行い、描画メンブレンデータおよび描画パターンデータを生成する。【選択図】図39

請求項（抜粋）：

相補ステンシルマスクデータを生成するマスク処理装置であって、設計データ、および少なくとも相補ステンシルマスクの特性を示すマスク特性データに基づいて、前記設計データを所定処理単位毎に相補分割を行い相補分割パターンを生成する相補分割手段と、前記相補分割手段が生成した前記相補分割パターン、および前記マスク特性データに基づいて、前記相補ステンシルマスクデータを生成するマスクデータ生成手段を有するマスク処理装置。

IPC (2件)：

H01L21/027 , G03F1/16

FI (2件)：

H01L21/30 541S , G03F1/16 B

Fターム (8件)：

2H095BA08 , 2H095BB01 , 5F056BD02 , 5F056CA04 , 5F056CA11 , 5F056CA30 , 5F056DA22 , 5F056FA05

引用特許：

審査官引用 (5件)

露光装置用のデ-タ作成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-015170 出願人：株式会社ニコン
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-153351 出願人：株式会社日立製作所
パターン転写用マスク、パターン転写方法および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-215163 出願人：株式会社半導体先端テクノロジーズ

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