酸化物半導体PN接合デバイス

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：西義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-278214
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119525
出願日： 2002年09月24日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】紫外光検出用デバイス材料として用いられているGaNは、可視光及び紫外域に光感度を有するために、該デバイスでは、光フィルターを用いて不要光を取り除き、特定波長を有する紫外光のみをGaN検出器に入射する必要がある。【構成】ITO単結晶膜上にエピタキシャル成長したn型電気伝導を示すZnxMg1-xO(ただし、0.7<x≦1)単結晶薄膜、該ZnxMg1-xO単結晶薄膜上に多結晶又はアモルファス膜として堆積されアニールによりエピタキシャル成長したp型電気伝導を示すLiイオンを含むNiO薄膜又はZnRh2O4膜とからなるPN接合デバイス及びITO膜上に堆積されたn型電気伝導を示すアモルファスInGaO3(ZnO)m(mは1以上50未満の整数)薄膜、該InGaO3(ZnO)m 上に堆積されたp型電気伝導を示すアモルファスNiO薄膜又はZnRh2O4薄膜とからなるPN接合デバイス。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体化合物薄膜から構成されるPN接合デバイスであって、ITO単結晶膜上にエピタキシャル成長したn型電気伝導を示すZnxMg1-xO(ただし、0.7<x≦1)単結晶薄膜、該ZnxMg1-xO単結晶薄膜上に多結晶又はアモルファス膜として堆積されアニールによりエピタキシャル成長したp型電気伝導を示すLiイオンを含むNiO薄膜とからなり、該ZnxMg1-xO単結晶薄膜と該Liイオンを含むNiO薄膜とがヘテロエピタキシャル界面を形成していることを特徴とするPN接合デバイス。

IPC (1件)：

H01L31/10

FI (1件)：

H01L31/10 A

Fターム (8件)：

5F049MA03 , 5F049MB01 , 5F049MB12 , 5F049NA10 , 5F049QA04 , 5F049SE04 , 5F049SS01 , 5F049WA05

引用特許：

審査官引用 (2件)

発光ダイオードおよび半導体レーザー
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-024843 出願人：科学技術振興事業団, 太田裕道, 折田政寛
pin型光電変換素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-224061 出願人：スター精密株式会社

引用文献：

審査官引用 (4件)

X線アモルファスp型伝導性酸化物;ZnRh2O4
ZnRh2O4: A p-type semiconducting oxide with a valence band composed of low spin state of Rh3+ in a 4
InGaO3(ZnO)5単結晶薄膜を用いたMISFETの作成

全件表示

前のページに戻る