特許

J-GLOBAL ID：200903078969262449

発光ダイオードおよび半導体レーザー

発明者： 細野 秀雄 ,  太田 裕道 ,  折田 政寛 ,  河村 賢一 ,  猿倉 信彦 ,  平野 正浩
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団 ,  太田 裕道 ,  折田 政寛
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-024843
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210864
出願日： 2000年01月28日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：

【要約】【課題】SrCu2 O2 膜上にn型ZnOを成膜してダイオード特性が発現することは確認されているが、ダイオードからの発光は確認できていなかった。【構成】透明基板上に積層した発光特性を示すn型ZnO層上に、SrCu2 O2 、CuAlO2 、またはCuGaO2 からなるp型半導体のうちの一つを積層して形成したp-n接合からなることを特徴とする半導体紫外発光素子。透明基板は、単結晶基板、特に、原子状に平坦化したイットリア部分安定化ジルコニア(YSZ)(111)基板がよい。透明基板上に、基板温度200〜1200°Cでn型ZnOを成膜し、さらにその上に、SrCu2 O、CuAlO2 またはCuGaO2 からなるp型半導体層を成膜する。基板を加熱することなく、n型ZnOを成膜し、該ZnO膜表面に紫外光を照射して結晶化を進めることもできる。

請求項（抜粋）：

透明基板上に積層したバンドギャップ付近の固有発光のみを示すn型ZnO層上に、SrCu2 O2 、CuAlO2 、またはCuGaO2 からなるp型半導体のうちの一つを積層して形成したp-n接合からなることを特徴とする紫外発光ダイオード。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/327

FI (2件)：

H01L 33/00 D ,  H01S 5/327

Fターム (13件)：

5F041CA03 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA77 ,  5F041CA88 ,  5F041CA98 ,  5F041CB11 ,  5F073CA22 ,  5F073CA23 ,  5F073CA24 ,  5F073CB05 ,  5F073CB22 ,  5F073DA35

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-204432   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 金属酸化物系の透明導電膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-121414   出願人：旭硝子株式会社
• 成膜用基板の成膜面の仕上げ方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-342465   出願人：住友電気工業株式会社
• 透明導電膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-033396   出願人：ホーヤ株式会社, 東京工業大学長
• 透明導電膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-184227   出願人：カシオ計算機株式会社