特許
J-GLOBAL ID：200903027349789303
III族窒化物系化合物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-235450
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323753
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 工業的に容易に入手可能な原材料を用いて良好な結晶構造のIII族窒化物系化合物半導体層を形成できるようにする。【解決手段】 基板の上に金属窒化物の中から選ばれた窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム若しくは窒化タンタルからなる下地層形成し、該下地層の上にIII族窒化物系化合物半導体層を形成する。
請求項（抜粋）：
基板と、該基板の上に形成された窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム及び窒化タンタルの中から選ばれる1種又は2種以上を含んでなる下地層と、該下地層の上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体層と、を備えてなるIII族窒化物系化合物半導体素子。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 A
, H01S 5/323
5F041AA31
, 5F041AA40
, 5F041CA05
, 5F041CA23
, 5F041CA33
, 5F041CA37
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB04
, 5F073CB05
, 5F073CB07
, 5F073DA05
, 5F073DA16
, 5F073DA35
