特許
J-GLOBAL ID：200903027357814740
磁気トンネル接合素子、接合メモリ・セル及び接合磁界センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-277156
公開番号（公開出願番号）：特開平10-162326
出願日： 1997年10月09日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 メモリや外部磁界の検出用の磁気トンネル接合(MTS)素子で有効範囲内での磁界印加時にモーメントが回転しない強磁性層を使用する素子を提供する。【解決手段】素子の磁気トンネル接合要素は、保磁力が大きく、有効範囲の印加磁界があるとき磁気モーメントが固定された状態に保たれる強磁性多層構造と、モーメントが自由に回転可能な1つの自由強磁性層と、強磁性多層構造と自由強磁性層の間に位置してそれと接触した絶縁トンネル・バリア層で構成される。固定強磁性多層構造は2つの層、保磁力が印加磁界よりもかなり大きい第1強磁性層、及びスピン・フィルタ効果が大きく、第1強磁性層と絶縁トンネル・バリア層の間に位置してそれと接触した薄い強磁性界面層で構成される。
請求項（抜粋）：
印加磁界があるときに磁気トンネル結合素子の電気抵抗の変化を検出する電気回路と接続する該素子であって、前記素子にとって有効な範囲の印加磁界よりもかなり大きい保磁力を持つ第1強磁性層、及び該第1強磁性層上に形成されそれと接触し、該第1強磁性層よりも磁化が大きく、該第1強磁性層と比較してかなり薄い、界面強磁性層の2つの強磁性層を含む多層構造であって、該多層構造の保磁力が該第1強磁性層の保磁力を大きく下回ることはなく、よって該多層構造のモーメントは有効範囲の印加磁界があるときに好適な方向に固定される、該多層構造と、有効範囲の印加磁界があるときモーメントが自由に回転する自由強磁性層と、前記多層構造の前記界面強磁性層と前記自由強磁性層の間に位置してそれと接触し、前記多層構造と自由強磁性層に対してほぼ垂直な方向にトンネル電流を流すことのできる絶縁トンネル層と、前記多層構造、トンネル層及び自由強磁性層が形成された基板と、を含む、磁気トンネル接合素子。
引用特許：
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