特許
J-GLOBAL ID：200903027369091280

トンネル接合素子と複合酸化膜の形成方法

発明者：
日比野 三十四

日比野 三十四 について


出願人/特許権者：
ヤマハ株式会社

ヤマハ株式会社 について


代理人 (2件)： 高橋 敬四郎 ,  来山 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-073974
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268251
出願日： 2004年03月16日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】 磁気トンネル抵抗変化率、静電耐圧、信頼性及び生産性を向上させることができる新規なトンネル接合素子を提供する。【解決手段】 トンネル接合素子は、基板と、前記基板上方に形成された下側導電層と、 前記下側導電層上方に形成され、非化学量論的組成を有する第1の酸化膜と、前記第1の酸化膜上に形成され、化学量論的組成を有する第2の酸化膜と、前記第2の酸化膜上方に形成された上側導電層と、を有し、前記第1の酸化膜は、前記第2の酸化膜形成工程によって酸化され、前記第2の酸化膜の酸素濃度より低く、深さと共に減少する酸素濃度を有する酸化膜であり、前記第1および第2の酸化膜がトンネルバリアを構成する。【選択図】 図14
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上方に形成された下側導電層と、 前記下側導電層上方に形成され、非化学量論的組成を有する第1の酸化膜と、 前記第1の酸化膜上に形成され、化学量論的組成を有する第2の酸化膜と、 前記第2の酸化膜上方に形成された上側導電層と、 を有し、前記第1の酸化膜は、前記第2の酸化膜形成工程によって酸化され、前記第2の酸化膜の酸素濃度より低く、深さと共に減少する酸素濃度を有する酸化膜であり、前記第1および第2の酸化膜がトンネルバリアを構成するトンネル接合素子。
IPC (2件)：
H01L43/08 ,  H01L43/12
FI (2件)：
H01L43/08 Z ,  H01L43/12
引用特許：
出願人引用 (4件)
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