特許
J-GLOBAL ID：200903030021506542
磁気トンネル接合素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-202922
公開番号（公開出願番号）：特開2000-036628
出願日： 1998年07月17日
公開日（公表日）： 2000年02月02日
要約：
【要約】【課題】 金属膜の残存及び下磁性層の侵食が生じることなく容易にバリア膜を形成することができ、これにより、磁気トンネル抵抗変化率を高めることができる磁気トンネル接合素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板1の上にFe70Co30からなる下磁性層2を成膜する。次に、第1のAl膜を10Åの膜厚で成膜した後、50Torrの酸素雰囲気下において、RFプラズマにより第1のAl膜をプラズマ酸化する。これにより、第1のAl-Oバリア膜3が得られる。その後、第1のAl-Oバリア膜3の上に第2のAl膜を10Åの膜厚で成膜した後、50Torrの酸素雰囲気下において、RFプラズマにより第2のAl膜をプラズマ酸化する。これにより、第2のAl-Oバリア膜4が得られる。その後、第2のAl-Oバリア膜4の上にFe50Co50からなる下磁性層5を成膜する。
請求項（抜粋）：
Fe、Ni及びCoからなる群から選択された少なくとも1種の磁性金属を有する下磁性層及び上磁性層と、前記下磁性層と上磁性層との間に形成されたプラズマ酸化膜からなるバリア膜とを有し、前記プラズマ酸化膜は膜厚方向に2以上の酸素濃度のピークを有することを特徴とする磁気トンネル接合素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G11B 5/39
, G11C 11/15
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, G11C 11/15
5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034DA04
, 5D034DA07
